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Q. PECVD 산화막 공정실습

안녕하세요! PECVD를 통해 SiH4와 N2O를 반응가스로, N2와 Ar을 캐리어 가스로 산화막을 증착하는 공정실습을 진행했습니다. RF Power 증가에 따라 산화막의 Wet etch rate이 증가하는 경향성을 확인했는데 이에 대한 정확한 물리화학적 메커니즘을 아신다면 설명 부탁드리겠습니다..!! 물론 막질이나 공정 조건에 따라 다를 수 있겠지만 일반적인 경향성에 대한 메커니즘을 알고 싶습니다. 반응 가스들의 해리 에너지에 따라 분해 속도가 차이 나고 RF Power가 증가할 수록 N2O의 분해 속도가 더 빨리 증가하여 박막에 O-H 결합이 증가해 WER가 증가했다고 논문들을 조합해서 예측은 해보았는데.. SiH4보다 N2O의 해리에너지가 더 큰 게 맞는지, N2가스도 때론 분해된다던데 이의 영향은 없는지, WER 증가에 박막의 어떤 결합 및 성분이 영향을 미치는지 명확하지 않아 질문드립니다!! 자세히 알려주시면 감사하겠습니다ㅠ